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碳化硅
Silicon carbide
第一代半導體就是以硅、鍺單元素材料為代表，主要就是硅；第二代半導體是以砷化鎵、磷化銦等化合物材料為代表；第三代半導體是以碳化硅和氮化鎵等寬禁帶化合物材料為代表。其中碳化硅具有：耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射的優(yōu)勢，所以近年來(lái)成了新能源車(chē)、光伏、5G基站等多個(gè)領(lǐng)域的新寵，可以大幅度減積減重、提高效率、降低損耗。 相關(guān)產(chǎn)品：  BP系列雙極濺射電源  PGD系列感應法單晶生長(cháng)爐電源  GTS系列全數字三相IGBT逆變模塊  KT系列交流調壓電源  GD系列直流電源
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